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NTTFS4840N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
10
900
800
700
600
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
9
8
7
6
QT
500
400
5
4
Qgs
Qgd
300
200
100
0
0
5
C rss
10
C oss
15
20
25
30
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 20 A
9 10
11
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
20
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
15
10
5
V GS = 0 V
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T J = 25 ° C
1.0
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
18
16
I D = 18.3 A
10
10 m s
100 m s
14
12
1
0.1
0.01
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
1 ms
10 ms
dc
100
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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